SiC(シリコン・カーバイド) - 革新的な高電圧スイッチングおよび整流を実現する最先端技術
STのSiC(シリコン・カーバイド)製品のポートフォリオには、業界最高クラスの200℃の接合部温度定格を特徴とするSTPOWERSiC MOSFET(650V~2200V)や、超低スイッチング損失および標準シリコン・ダイオードよ��も順方向電圧(VF)が15%低いSTPOWER SiCダイオード(600V~1200V)が含まれており、効率的で簡素化された設計を可能にします。詳細については、SiCに関するイノベーション & テクノロジーのページをご覧ください。
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STPOWER SiC MOSFET
主な特徴
- 車載グレード(AG)対応
- きわめて優れた温度特性(最大Tj = 200℃)
- きわめて低いスイッチング損失(温度による変動を最小化)により、非常に高いスイッチング周波数で動作可能
- 動作保証温度範囲全域にわたる低いオン抵抗
- シンプルなゲート駆動
- 高速かつ堅牢なボディ・ダイオードを内蔵
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