CMOS

Yarı iletken aygıt üretimi

MOSFET ölçeklemesi (üretim süreçleri)

20 µm  –  1968 10 µm  –  1971 6 µm  –  1974 3 µm  –  1977 1,5 µm  –  1981 1 µm  –  1984 800 nm  –  1987 600 nm  –  1990 350 nm  –  1993 250 nm  –  1996 180 nm  –  1999 130 nm  –  2001 90 nm  –  2003 65 nm  –  2005 45 nm  –  2007 32 nm  –  2009 28 nm  –  2010 22 nm  –  2012 14 nm  –  2014 10 nm  –  2016 7 nm  –  2018 5 nm  –  2020 3 nm  –  2022 2 nm  –  2025

Gelecek

1 nm ∼ 2027

İlgili

Devre küçültme · Transistör sayısı · CMOS · Yarı iletken cihaz (Çok geçitli aygıt) · Moore yasası · Yarı iletken · Yarı iletken sanayii · Mikroelektronik · Nanoelektronik

CMOS (İngilizce: Complementary Metal Oxide Semiconductor; Bütünleyici Metal Oksit Yarı İletken), bir tümleşik devre üretim teknolojisidir.^[1]

N-tipi ve P-tipi olarak adlandırılan NMOS ve PMOS transistorların aynı tümdevre üzerinde gerçeklenmesine olanak tanır. Genel olarak günümüzde kullanılan sayısal (dijital) devrelerin neredeyse tamamı (örneğin mikroişlemciler) CMOS teknolojisi ile üretilir. Bu teknolojinin yaygın olarak kullanılmasının nedeni, bu teknolojinin birim silisyum alanda en fazla transistor gerçeklenmesini olanaklı kılması, gerçeklenen devre açık durumda fakat işlem yapmazken neredeyse güç tüketmemesi gibi önemli özelliklerdir. Böylece elektronik endüstrisinin temel taleplerinden olan düşük maliyet ve düşük güç tüketimi (uzun pil ömrü) sağlanmış olur. Günümüzde artık Dijital Fotoğraf Makinelerinde CMOS tercih edilmektedir. Az ısınması nedeni ile Dijital Video çekimine uygundur.^[1]